產(chǎn)品分類(lèi)

　　意法半導(dǎo)體推出先進(jìn)的單通道柵驅(qū)動(dòng)器 (single-channel gate driver) 芯片STGAP1S。新產(chǎn)品在同一芯片上集成電隔離層 (galvanic isolation) 和模擬及邏輯電路 (analog and logic circuitry)，有助于設(shè)計(jì)人員簡(jiǎn)化驅(qū)動(dòng)器設(shè)計(jì)，同時(shí)確保產(chǎn)品具有優(yōu)異的抗噪性能 (noise immunity)，實(shí)現(xiàn)安全可靠的功率控制效果。

　　STGAP1S是意法半導(dǎo)體新一代gapDRIVE™柵驅(qū)動(dòng)器的首款產(chǎn)品。新產(chǎn)品整合意法半導(dǎo)體獨(dú)有的雙極-CMOS-DMOS (BCD)制造工藝以及在芯片上植入隔離層的創(chuàng)新技術(shù)，可進(jìn)一步提高系統(tǒng)集成度。高壓軌上可耐受最高達(dá)1500V電壓，而不會(huì)干擾其它電路;高可靠性使其適用于工業(yè)驅(qū)動(dòng)器、大功率600V或1200V逆變器、太陽(yáng)能逆變器以及不間斷電源 (uninterruptible power supplies) 。

　　100ns電隔離層信號(hào)傳播延時(shí)，使STGAP1S能夠傳輸高精度的PWM信號(hào)。新產(chǎn)品集成驅(qū)動(dòng)級(jí)的灌入或源出電流最高達(dá)5A;軌對(duì)軌輸出支持負(fù)驅(qū)動(dòng)電壓，可與大型絕緣柵雙極型晶體管 (IGBT, Insulated Gate Bipolar Transistors) 或?qū)拵��?(wide-bandgap) 電源開(kāi)關(guān)(例如碳化硅MOSFET)配套使用。新產(chǎn)品具有優(yōu)異的共模瞬變免疫能力(common-mode transient immunity)，可耐受超過(guò)±50V/ns的共模瞬變電壓，支持跨電隔離層通信和安全的工作環(huán)境。灌入與源出輸出分開(kāi)式設(shè)計(jì)可提高設(shè)計(jì)的靈活性，有助于減少外部元器件的使用。

　　新產(chǎn)品可通過(guò)內(nèi)置的工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)接口SPI端口與主控制器通信，內(nèi)部控制邏輯可實(shí)時(shí)監(jiān)控工作狀態(tài)。STGAP1S通過(guò)這個(gè)接口向主控制器提供豐富的診斷信息，進(jìn)一步提升系統(tǒng)保護(hù)性能和工作可靠性。

　　新智能驅(qū)動(dòng)器還集成大量的保護(hù)功能，幫助芯片最大限度提升在惡劣工業(yè)環(huán)境中的工作可靠性。這些保護(hù)功能包括防止無(wú)用的晶體管導(dǎo)通的功率級(jí)有源米勒箝位 (active Miller clamp);在短路條件下保護(hù)開(kāi)關(guān)的去飽和檢測(cè) (desaturation detection);可防止有危害性的電壓過(guò)沖的集電極-發(fā)射極的過(guò)壓保護(hù) (collector-emitter overvoltage protection) 及輸出雙電平關(guān)斷功能;過(guò)熱保護(hù) (over-temperature protection)、欠壓保護(hù) (UVLO, Under-Voltage Lockout) 和過(guò)壓保護(hù) (OVLO, Over-Voltage Lockout) 以及過(guò)流(over-current) 檢測(cè)專(zhuān)用引腳。